基于双硼化物方格网的反磁弱拓扑态
强关联电子
2024-10-02 v1
摘要
ZrSiS 类别的层状材料具有适合用于自旋电子学应用的有趣的拓扑和磁性特征。本文采用固态反应技术合成了多晶 NdBiTe，并通过温度和场依赖的磁化 measurements 在 2-300 K 温度范围内考察了其磁性质。我们的磁性和比热数据表明，该物料在 4.5 K 以下表现出长程反磁有序。此外，我们的等温磁化数据显示在 Néel 温度以下出现自旋重新取向的迹象。反磁抗力与温度数据中观察到的非线性，以及 5-20 K 范围内比热中的峰，指示该物料中存在晶场分裂。我们的输运性质测量显示在 2-300 K 温度范围内表现为金属行为，并表现出正磁阻。Néel 温度以下电阻随温度升高的观察推断表明存在强相关费米子，这与观察到的较大的 Sommerfeld 系数一致。与实验结果一致，我们的第一性原理计算预测 NdBiTe 为一种反磁半金属。进一步地，我们的自旋轨道耦合电子结构模拟显示该物料具有弱拓扑性质的迹象。
引用
@article{arxiv.2410.00782,
title = {Antiferromagnetic weak topological state in Bismuth square-net based nonsymmorphic lattice},
author = {Prabuddha Kant Mishra and Shivani Kumawat and Soumyakanta Panda and Niharika Mohapatra and B K Mani and Ashok Kumar Ganguli},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.00782},
year = {2024}
}
备注
17 pages, 10 Figures