NiSi：反铁磁自旋电子学的新平台

构想反铁磁自旋电子学依赖于两个关键标准：高转变温度以及利用磁场或电流的简单施加来调控底层磁序。在此，我们表明 NiSi 金属可为此探索提供合适的新平台。首先，我们的研究揭示了单晶 NiSi 中 $T_{N} \geq 700$ K 的高温反铁磁性。NiSi 中的反铁磁序伴随有非中心对称磁特性以及在 a-c 面内的小铁磁分量。其次，我们发现由于两个磁矩方向的差异，NiSi 对磁场施加表现出不同的磁滞与电子滞回响应。磁滞的特征是非补偿磁矩的铁磁态间的一步切换，而电子行为归因于非共线自旋构型间的变磁切换现象。重要的是，该切换行为持续至高温。这些性质凸显了 NiSi 在反铁磁自旋电子学追求中的重要地位。