薄膜铌酸锂上两千九百万本征品质因子的单片微谐振器
光学
2024-02-27 v1 应用物理
摘要
薄膜铌酸锂（TFLN）的近期出现拓展了集成光子学的版图。这得益于TFLN晶圆的商业化以及先进的TFLN纳米加工技术，例如高质量干法刻蚀。然而，制造缺陷仍将传播损耗限制在几个dB/m，制约了该平台的影响力。在此，我们展示了具有创纪录的两千九百万本征品质（Q）因子的TFLN微谐振器，对应超低传播损耗1.3 dB/m。我们给出了不同谐振器几何结构下Q因子的光谱分析和统计分布。我们的工作将TFLN光子学的制造极限推至Q因子达到材料极限的一个数量级以内。
引用
@article{arxiv.2402.16161,
title = {Twenty-nine million Intrinsic Q-factor Monolithic Microresonators on Thin Film Lithium Niobate},
author = {Xinrui Zhu and Yaowen Hu and Shengyuan Lu and Hana K. Warner and Xudong Li and Yunxiang Song and Leticia Magalhaes and Amirhassan Shams-Ansari and Neil Sinclair and Marko Loncar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.16161},
year = {2024}
}