调控空穴掺杂铜氧化物中的电荷转移能
超导电性
2014-03-25 v1 材料科学
摘要
化学取代结合应变效应，使得空穴掺杂铜氧化物中的电荷转移能可在宽范围内进行调控。我们从理论上表征了CuOS化合物家族的结构与电子性质，该家族是通过在母体铜氧化物 LaCuO中用硫取代顶角氧并进行稀土元素取代而构建的。此外，我们还确定了可能合成路径的形成焓。
引用
@article{arxiv.1305.0322,
title = {Tuning the charge-transfer energy in hole-doped cuprates},
author = {Chuck-Hou Yee and Gabriel Kotliar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.0322},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 5 figures