通过受控纳米层沉积调控氮化硅微腔
光学
2021-09-28 v1 应用物理
量子物理
摘要
将单光子发射体(SPEs)与共振光子结构集成是实现用于量子通信、计算和传感的紧凑高效单光子源的一种有前景的方法。SPE 与光子腔之间的有效相互作用要求腔的共振与 SPE 发射线匹配。在此，我们展示了一种通过受控沉积包层对氮化硅(Si3N4)微环腔进行调控的新方法。在数值模拟指导下，我们以 50 nm 为步长将二氧化硅(SiO2)纳米层沉积到 Si3N4 脊结构上。我们展示了在一个自由光谱范围(FSR)内对腔共振的调控，且不降低腔的品质因子(Q-factor)。然后我们以局域激光加热补充该方法以进行腔的精细调控。最后，我们验证包层沉积不会改变置于腔上的纳米粒子的位置，这表明我们的方法可有助于将 SPEs 与光子结构集成。
引用
@article{arxiv.2109.12991,
title = {Tuning of Silicon Nitride Micro Cavities by Controlled Nanolayer Deposition},
author = {Dmitry A. Kalashnikov and Gandhi Alagappan and Ting Hu and Nelson Lim and Victor Leong and Ching Eng Png and Leonid A. Krivitsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.12991},
year = {2021}
}
备注
submitted for publication