扭转双层MoS$_2$中带隙的调控
介观与纳米尺度物理
2021-01-04 v2
摘要
在新兴的扭转双层结构世界中，可能的构型无穷无尽，从而造就了丰富的电子性质图景。本文聚焦于扭转双层过渡金属硫族化合物（TMDCs），并借助精确的紧束缚模型研究其性质。我们构建了不同角度的结构，发现当扭转角足够小（约7.3）时出现所谓的平带。有趣的是，当弛豫样品中的扭转角从21.8变化到0.8时，带隙可被调控达2.2%（51 meV）。此外，考察局域态密度时发现，由于不同位点处层间耦合的变化，带隙沿莫尔图案呈局域变化。最后，我们还发现当施加足够强的电场时，体系可发生从半导体到金属的相变。我们的研究可作为基于TMDCs的光电器件实际设计的指南。
引用
@article{arxiv.2005.13879,
title = {Tuning band gaps in twisted bilayer MoS$_2$},
author = {Yipei Zhang and Zhen Zhan and Francisco Guinea and Jose Angel Silva-Guillen and Shengjun Yuan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.13879},
year = {2021}
}
备注
8 pages and 8 figures