电子掺杂 HTT-Pt 中可调的拓扑态
材料科学
2016-04-25 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
驱动现有材料展现拓扑非平庸态具有科学和技术上的双重意义。利用第一性原理计算，我们提出了首个在单一有机金属框架材料 HTT-Pt 中由电子掺杂诱导的多重量子相变演示，该材料通过三亚苯基六硫醇分子（HTT）与 PtCl2 反应合成。在低电子掺杂下，HTT-Pt 从普通绝缘体转变为具有时间反演对称性（TRS）的量子自旋霍尔（QSH）绝缘体。在高电子掺杂下，TRS 进一步破缺，使 HTT-Pt 成为量子反常霍尔（QAH）绝缘体。由本征自旋轨道耦合（SOC）打开的电子掺杂 HTT-Pt 的拓扑非平庸带隙可高达 44.5 meV，这为在高温下实现这些量子相提供了前景。在 QSH 与 QAH 态之间切换的可能性，通过 QSH 与 QAH 态的界面接触，为新型器件范式提供了一个引人入胜的平台。
引用
@article{arxiv.1509.06843,
title = {Tunable Topological States in Electron-Doped HTT-Pt},
author = {Xiaoming Zhang and Mingwen Zhao and Feng Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.06843},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 4 figures