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等离激元 SrMoO$_3$ 薄膜中可调的电子散射机制

强关联电子 2024-01-25 v1

摘要

4d 过渡金属钙钛矿氧化物是研究强关联金属性质的合适试验台。其中,SrMoO3SrMoO_{3} (SMO) 在室温下表现出优异的导电性。温度依赖的电阻率 (ρ(T))(\rho(T)) 在转变温度 TT^{*} 以下表现出费米液体行为,反映了占主导的电子-电子相互作用。在 TT^{*} 以上,电子-声子相互作用变得更加显著。在本研究中,我们利用 ρ(T)\rho(T) 的幂律缩放来严格确定 TT^{*}。我们进一步证明,在处延薄膜中 TT^{*} 可以大幅改变约 40 K。结果表明,结构质量决定了 TT^{*}。虽然等离子体频率可以通过有效质量增强引起的电子-电子相互作用变化来调节,但我们表明等离激元性质更直接地受电子-杂质散射控制。通过结构质量调制对电子散射机制的简便控制,对于可见光区域的等离激元传感应用可能是有用的。

关键词

引用

@article{arxiv.2401.13297,
  title  = {Tunable electron scattering mechanism in plasmonic SrMoO$_3$ thin films},
  author = {Rahma Dhani Prasetiyawati and Seung Gyo Jeong and Chan-Koo Park and Sehwan Song and Sungkyun Park and Tuson Park and Woo Seok Choi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2401.13297},
  year   = {2024}
}