LaCoxAs2 中可调的钴空位及相关性质
强关联电子
2014-11-12 v1 材料科学
摘要
过渡金属空位的起源及其对 ThCr2Si2 型化合物性质的影响尚未得到充分研究和理解。在此，我们仔细研究了一系列标称成分为 LaCoxAs2 (1.6 <= x <= 2.1) 的镧钴砷化物的结构、物理性质和电子结构。研究表明，Co 的占据数可在 1.98(1) 至 1.61(1) 之间调节。基于 X 射线和中子衍射的结构分析表明，Co 空位的存在源于 As-As 键形成所导致的电荷平衡。这些 Co 空位极大地影响了磁学和电学性质，将居里温度从 205 K 调节至 47 K，并使电阻率增加了 100% 以上。第一性原理计算表明，Co 空位削弱了自旋极化并降低了费米能级处的态密度，从而分别导致居里温度降低和电阻率增加。我们的结果阐明了过渡金属空位在 ThCr2Si2 型材料中的重要性，并为调节 ThCr2Si2 型结构的磁性提供了一条可靠途径。
引用
@article{arxiv.1411.2788,
title = {Tunable Cobalt Vacancies and Related Properties in LaCoxAs2},
author = {Shijie Shen and Gang Wang and Shifeng Jin and Qingzhen Huang and Tianping Ying and Dandan Li and Xiaofang Lai and Tingting Zhou and Han Zhang and Zhiping Lin and Xiaozhi Wu and Xiaolong Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.2788},
year = {2014}
}
备注
10 pages, 4 figures