基于双夸克旁观者模型的 $\Delta$ 横向广义部分子分布

我们首次利用双夸克旁观者模型展示了 $\Delta^+$ 等量异位素的夸克横向广义部分子分布（GPDs）。首先，通过电荷、磁偶极和轴电荷形状因子对该模型进行了检验，并将其用于计算 $\Delta^+$ 的横向 GPDs $H^{qT}_{1,3,5,7}$。随后，在前向极限下从横向 GPDs 得到了夸克横向分布 $h_1$。接着，利用螺旋度振幅与GPDs之间的关系，数值展示了螺旋度翻转振幅。最后，通过取GPDs的一阶矩，得到了张量形状因子，并预测了张量电荷。实验上，$N$-$\Delta$ 跃迁 GPDs 在深度虚康普顿散射和虚介子产生过程中被研究，而对应于 $s$-通道 GPDs 的广义分布振幅则可通过正负电子对撞机上的双光子过程 $\gamma^* \gamma \to \Delta \bar\Delta$ 进行研究。因此，自旋为3/2的 $\Delta$ GPDs 未来可能成为实验上令人感兴趣的物理量。