界面粗糙度存在下量子阱中的输运
介观与纳米尺度物理
2010-11-16 v1
摘要
正式推导了具有粗糙界面的二维量子阱的有效哈密顿量。产生了两个新项。第一项被确认为局域能级涨落，该涨落此前在文献中被唯象地引入用于界面粗糙度散射，但现在被证明仅适用于无穷深势阱或具有单一长度尺度的哈密顿量。另一项被证明调制了波函数并导致电荷密度涨落。这将进一步将电子迁移率降低到与实验结果接近的量级。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0002234,
title = {Transport in quantum wells in the presence of interface roughness},
author = {Chung-Yu Mou and Tzay-ming Hong},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0002234},
year = {2010}
}
备注
15 pages, 2 figures, a shorter version of this paper is to be published in Phys. Rev. B