手性 p 波超导体边缘上的拓扑保护电荷转移
介观与纳米尺度物理
2015-10-20 v3
摘要
在具有 配对的拓扑超导体边缘传播的马约拉纳费米子，每 eV 电压偏置产生 的散粒噪声功率。我们计算了转移电荷的全计数统计，发现其在低温极限下变为三项分布，不同于单模纳米线中电荷- 转移的二项分布或正常-超导界面处电荷- 转移的二项分布。电流涨落的所有偶阶关联子都具有普适的量子化值，对无序和退相干不敏感。这些电学特征在实验上可观测，因为它们在远高于 Thouless 能量的温度和电压下依然持续。
引用
@article{arxiv.1505.06744,
title = {Topologically protected charge transfer along the edge of a chiral $\textit{p}$-wave superconductor},
author = {N. V. Gnezdilov and B. van Heck and M. Diez and Jimmy A. Hutasoit and C. W. J. Beenakker},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.06744},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures. v3 [post-publication]: added an appendix on the effect of a tunnel barrier at the normal-superconductor contact