掺杂磁性摩尔半导体的拓扑超导性
超导电性
2024-01-18 v1 强关联电子
摘要
我们表明，在过渡金属硫族化物异双层最顶层价摩尔带的整数填充磁性态之上进行掺杂，可能出现拓扑超导性。载流子间的有效吸引由层间激子物理产生的电p波Feshbach共振所生成，其强度可调且可能很大。结合门控可达的低摩尔载流子密度，这一稳健的吸引使得进入长期寻求的p波BEC-BCS转变成为可能。当磁序与长波磁涨落不耦合不同谷时，由涌现的时间反演对称性提供拓扑保护。所得拓扑超导体具有螺旋Majorana边缘模，导致半整数量子化的自旋-热霍尔电导，以及由圆偏振光或其他破时间反演对称场诱导的电荷电流。
引用
@article{arxiv.2304.01631,
title = {Topological superconductivity in doped magnetic moir\'e semiconductors},
author = {Valentin Crépel and Daniele Guerci and Jennifer Cano and J. H. Pixley and Andrew Millis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.01631},
year = {2024}
}
备注
5+2 pages, 4 figures