由选择性随机缺陷诱导的谱拓扑转变：基于蜂窝格子
无序系统与神经网络
2026-04-14 v1 介观与纳米尺度物理
强关联电子
摘要
我们研究了电子系统在通过引入选择性随机缺陷而插值于蜂窝格子及其 1/6 缺失结构之间的谱与拓扑性质的演化。我们发现，在某些参数区间，两种格子系统的拓扑性质平滑地相连，而在其他参数区间，选择性随机缺陷诱导拓扑转变。基于有效模型的分析表明，选择性随机缺陷的效应可被理解为 hopping 幅度的调制。我们的结果凸显了在广泛材料平台上设计与控制电子系统谱甚至拓扑性质的潜力。
引用
@article{arxiv.2511.14134,
title = {Topological transition induced by selective random defects on a honeycomb lattice},
author = {Sogen Ikegami and Kiyu Fukui and Shun Okumura and Yasuyuki Kato and Yukitoshi Motome},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.14134},
year = {2026}
}
备注
11 pages, 9 Figures