自旋-轨道耦合电子与空穴掺杂半导体中的拓扑热电效应
介观与纳米尺度物理
2012-06-18 v1
摘要
我们计算了在面内磁场以及 Rashba 和 Dresselhaus 自旋-轨道耦合存在下，电子和空穴掺杂半导体中 Berry 相位介导的反常霍尔效应和能斯特效应的内禀贡献。对于这两种系统，我们发现，在超导邻近效应存在下支持拓扑超导态的化学势区域，可以通过拓扑霍尔系数和能斯特系数中的平台来表征，这些平台两侧是标志拓扑区域出现的明确峰值。这些平台源于动量空间中 Berry 曲率峰值区域（位于“近带简并”点）与布里渊区内单个（或奇数个）费米面所在区域之间的清晰分离。能斯特系数的平台处于零值附近，作为化学势的函数，其两侧是两个符号相反的峰。这些结果可能有助于通过实验推断出在邻近效应存在下实现拓扑态所需的化学势区域。
引用
@article{arxiv.1203.6109,
title = {Topological thermoelectric effects in spin-orbit coupled electron and hole doped semiconductors},
author = {E. Dumitrescu and Chuanwei Zhang and D. C. Marinescu and Sumanta Tewari},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.6109},
year = {2012}
}
备注
8 pages, 8 figures