超薄 SrRuO$_3$ 薄膜中的贝里相位调控
强关联电子
2021-01-04 v2
摘要
贝里相位的概念是揭示手性磁性材料和结构中观察到的各种新奇现象中拓扑非平凡作用的有力手段。一个著名的例子是由动量空间中非零贝里相位驱动的内禀反常霍尔效应（AHE）。由于 AHE 高度依赖于费米边附近的能带结构细节，贝里相位和 AHE 可在化学势可通过维度和无序调节的薄膜中被改变。在此，我们证明在超薄 SrRuO 薄膜中，贝里相位可通过无序对 AHE 内禀贝里相位贡献的影响得到有效调控，这由我们数值精确的计算所证实。此外，我们的发现为拓扑霍尔效应归因于受保护自旋构型的表面性提供了充分的实验反证，转而强烈支持超薄 SrRuO 中的多通道 AHE 情景。
引用
@article{arxiv.1907.07579,
title = {Berry phase manipulation in ultrathin SrRuO$_3$ films},
author = {Liang Wu and Fangdi Wen and Yixing Fu and Justin H. Wilson and Xiaoran Liu and Yujun Zhang and Denis M. Vasiukov and Mikhail S. Kareev and J. H. Pixley and Jak Chakhalian},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.07579},
year = {2021}
}