强关联系统中哈伯德带的拓扑性质
强关联电子
2019-09-16 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本文处理强关联系统中 Mott-Hubbard 态的拓扑性质。这些系统用自旋-电荷分离即规范场中的自旋子-空穴子解禁闭来描述。考虑了与量子霍尔效应和朗道量子化的类比，其中 Chern-Simons 项的存在对哈伯德分裂的恰当描述十分重要。展示了在有效两带模型中随掺杂出现的拓扑阻挫。讨论了轨道自由度的角色以及轨道电流可能出现的情况。
引用
@article{arxiv.1909.06248,
title = {Topological nature of Hubbard bands in strongly correlated systems},
author = {V. Yu. Irkhin and Yu. N. Skryabin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.06248},
year = {2019}
}
备注
5 pages