拓扑绝缘体、自旋与紧束缚方法
介观与纳米尺度物理
2013-07-10 v2
摘要
作为最早提出的拓扑保护态之一，石墨烯中的量子自旋霍尔效应关键依赖于布里渊区K/K'点处自旋依赖能隙的存在。使用基于不变量方法的紧束缚公式，我们确定了这种内禀能隙的起源是自旋-轨道相互作用引起的π轨道之间的三中心相互作用。该方法包含了先前忽略的所有对称性允许的相互作用，并且在第一性原理计算与紧束缚方法之间的比较中具有更广泛的应用。它还识别了对Haldane模型及其推广的修正，该修正包含了自旋自由度并再现了石墨烯中量子自旋霍尔效应所需的所有显著特征。
引用
@article{arxiv.1306.2520,
title = {Topological insulators, spin, and the tight-binding method},
author = {Warren J. Elder and Eng Soon Tok and Dimitri D. Vvedensky and Jing Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.2520},
year = {2013}
}
备注
5 pages 2 figures plus supplementary material