有限同位旋密度下 QCD 中的拓扑退禁闭相变

我们从拓扑角度讨论了禁闭 - 退禁闭相变。通过引入无量纲虚化学势（$\theta$）实现了系统的拓扑改变。此时，非平凡的自由能简并成为退禁闭相变的信号，并且可以通过将热力学量映射到沿 $\theta$ 的圆 $S^1$ 上来可视化。为了理解有限实夸克化学势（$\mu_\mathrm{R}$）下的这种“拓扑”退禁闭相变，我们在 QCD 的有效模型中考虑了同位旋化学势（$\mu_\mathrm{iso}$）。至少在在大-$N_\mathrm{c}$ 极限下，通过著名的轨道等价性，有限 $\mu_\mathrm{iso}$ 下的相图与有限 $\mu_\mathrm{R}$ 下的相图在π介子凝聚相之外是相同的。在当前有效模型中，拓扑退禁闭相变对 $\mu_\mathrm{iso}$ 没有显示出显著的依赖性，因此我们可以预期这种趋势也会出现在小 $\mu_\mathrm{R}$ 处。此外，手征相变和拓扑退禁闭相变似乎弱相关。如果我们能获取有限 $\mu_\mathrm{iso}$ 且 $\theta=\pi/3$ 时夸克数密度温度依赖性的格点 QCD 数据，就可以验证我们的推测。