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由反对称电势阶跃引起的双层石墨烯中的拓扑电荷局域化

介观与纳米尺度物理 2008-11-25 v1 强关联电子

摘要

能量小于其入射的电势阶跃的带电粒子,预期会发生部分反射和透射。然而,在双层石墨烯中,以反对称扭折形式存在的势阶会导致粒子局域化,这是由于粒子与其手性伴子之间的相互作用所致。研究发现,当势阶超过阈值时,系统会出现零能模式,并导致扭折带上电荷。出乎意料的是,零能模式附近的霍尔效应平台对应于单层石墨烯的平台。这些扭折诱导效应的拓扑性质以及在实际中产生扭折的容易程度,表明了其在例如信息存储或开关器件中的可能应用。

关键词

引用

@article{arxiv.0811.3802,
  title  = {Topological charge localization in bilayer graphene induced by an antisymmetric electric potential step},
  author = {J. C. Martinez and M. B. A. Jalil and S. G. Tan},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0811.3802},
  year   = {2008}
}

备注

15 pages