拓扑绝缘体中狄拉克费米子的太赫兹产生与探测
介观与纳米尺度物理
2013-02-06 v1 材料科学
摘要
本研究表明，利用 800 nm 飞秒脉冲，可以从解理的 BiSe和 Cu 掺杂 BiSe单晶的 (001) 表面产生太赫兹（THz）波。产生的太赫兹功率强烈依赖于晶体的载流子浓度。对这种依赖关系的考察揭示了狄拉克费米子不可或缺的双通道自由载流子吸收机制。在室温下，BiSe中的狄拉克费米子是比体载流子显著更优的太赫兹辐射吸收体。此外，太赫兹发射的特性证实了最近提出的由狄拉克费米子归一化的表面声子支的存在。
引用
@article{arxiv.1302.1087,
title = {THz Generation and Detection on Dirac Fermions in Topological Insulators},
author = {C. W. Luo and C. C. Lee and H. -J. Chen and C. M. Tu and S. A. Ku and W. Y. Tzeng and T. T. Yeh and M. C. Chiang and H. J. Wang and W. C. Chu and J. -Y. Lin and K. H. Wu and J. Y. Juang and T. Kobayashi and C. -M. Cheng and C. -H. Chen and K. -D. Tsuei and H. Berger and R. Sankar and F. C. Chou and H. D. Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.1087},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 4 figures, 1 table