用于III-V族多结太阳电池的减薄锗衬底
应用物理
2022-05-05 v1
摘要
多结太阳电池通常生长在Ge衬底上。这带来了若干阻碍整个多结性能并限制其可能应用的缺点。由衬底引起的缺陷包括：器件更重、工作温度更高、性能更低以及缺乏光子限制。在本工作中，我们提出减薄衬底作为上述挑战的有效解决方案。使用2D TCAD工具模拟了衬底厚度对多结内Ge子电池性能的影响。仿真结果指出背表面复合是增强减薄Ge子电池发展的关键参数。Ge衬底已被减薄，获得了115{\mu}m厚的样品。最后，由减薄衬底制造了太阳电池，证明了有限的退化，并展示了该工艺制造减薄至115{\mu}m的Ge子电池的可行性。
引用
@article{arxiv.2205.02218,
title = {Thinned Germanium Substrates for III-V Multijunction Solar Cells},
author = {Ivan Lombardero and Naoya Miyashita and Mario Ochoa and Yoshitaka Okada and Carlos Algora},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.02218},
year = {2022}
}