倒装GaInP/GaAs三端异质结双极晶体管太阳能电池
应用物理
2021-05-10 v1
摘要
本文给出了基于GaInP/GaAs的倒装三端异质结双极晶体管太阳能电池（HBTSC）的实验结果。倒装生长与工艺使得可从底部接触中间层（基极），从而通过同时降低阴影因子和串联电阻来改善电池性能。借助该原型，我们证明了三端太阳能电池的倒装工艺是可行的，并为外延剥离、衬底复用以及机械堆叠应用于HBTSC铺平了道路，最终有望实现低成本高效率的硅上III-V HBTSC技术。
引用
@article{arxiv.2105.03224,
title = {Inverted GaInP/GaAs Three-Terminal Heterojunction Bipolar Transistor Solar Cell},
author = {Marius H. Zehender and Simon. A. Svatek and Myles A. Steiner and Iván García and Pablo García Linares and Emily L. Warren and Antonio Martí and Adele. C. Tamboli and Elisa Antolín},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.03224},
year = {2021}
}