用于 III/V 族多结太阳能电池的宽带全向减反射层
光学
2012-10-25 v1
摘要
我们报道了一种基于自下而上生长的锥形 GaP 纳米线的新型梯度折射率减反射涂层，适用于 III/V 族四结太阳能电池。我们计算了具有 MgF2/ZnS 双层减反射涂层和具有梯度折射率涂层的 InGaP-GaAs-InGaAsP-InGaAs 太阳能电池的光电流密度。当太阳能电池涂覆厚度为 1\mu m 的梯度折射率层时，光电流密度可提高 5.9%。我们提出通过在 III/V 族太阳能电池上生长锥形 GaP 纳米线来实现这种梯度折射率层。为了首次演示在 III/V 族太阳能电池上生长锥形纳米线的可行性，我们已在 AlInP/GaAs 衬底上生长了锥形 GaP 纳米线。实验表明，纳米线涂覆衬底的反射率在宽光谱和角度范围内降低，而进入衬底的透射率增加。
引用
@article{arxiv.1210.6601,
title = {Broadband and omnidirectional anti-reflection layer for III/V multi-junction solar cells},
author = {Silke L. Diedenhofen and Grzegorz Grzela and Erik Haverkamp and Gerard Bauhuis and John Schermer and Jaime Gómez Rivas},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.6601},
year = {2012}
}
备注
5 Figures