离子液体门电压在二氧化钒中诱导缺陷态的热电探测
材料科学
2020-05-14 v1
摘要
热电测量探测材料中化学势上下态密度的不对称性。它提供了对化学势附近态密度微小变化的洞察，补充了电子输运测量。此处，我们在离子液体(IL)门控下对典型关联电子材料二氧化钒(VO2)进行了电阻与热电势联合测量。随着 IL 门控，金属–绝缘体转变(MIT)温度以下的电荷输运仍处在热激活区，而 Seebeck 系数表现出从半导体行为到金属行为的明显转变。这种反差行为表明 IL 门控下由于氧缺陷态的形成引起了电子结构变化。实验结果由基于包含门控诱导缺陷带的模型态密度的数值模拟所证实。本研究揭示热电测量是一种便捷而灵敏的探针，用于探测 IL 门控在抑制 VO2 中 MIT 所起缺陷态的作用——这在电荷输运测量中并不明显，并可能用于研究其他材料中的缺陷态。
引用
@article{arxiv.2003.09840,
title = {Thermoelectric probe of defect state induced by ionic liquid gating in vanadium dioxide},
author = {Hui Xing and Peihong Zhang and Hao Zeng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.09840},
year = {2020}
}