平面 Hubbard 模型的热力学
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
研究热力学性质：比热、熵、自旋响应率 chi_s 和电荷响应率 chi_c 作为温度和掺杂随着一维 Hubbard 模型中进行计算，所需参数 U/t = 4 - 12。使用 finite-temperature Lanczos 方法，并对 4x4 大小的系统进行相位平均。结果显示，在所研究的整个 U/t 范围内，低温时熵在电子密度 n ~ 1 ± 0.15 处接近半填充时达到最大值。在 U/t >= 8 时，chi_s(T) 中的 pseudogap 变得明显，而 chi_c 显示出在半填充附近出现最大值。讨论了结果与 t-J 模型及实验结果的关系。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0206037,
title = {Thermodynamics of the planar Hubbard model},
author = {J. Bonca and P. Prelovsek},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0206037},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures