Ising 任意子系统的热化、纠错与记忆寿命
量子物理
2015-01-27 v2 统计力学
强关联电子
摘要
我们考虑支持 Ising 任意子激发并耦合至热浴的二维晶格模型。我们提出了一个唯象模型来描述由此产生的短时动力学，该模型包含了任意子的对产生、跳跃、编织和融合过程。通过为这类系统显式构造拓扑量子纠错码，我们利用热化模型估算了存储在编码空间中的量子信息的寿命。为了对这些码进行解码和纠错，我们将几种现有的拓扑解码器适配到了非阿贝尔情形。我们对这些二维 Ising 任意子系统进行了大规模数值模拟，发现这些模型的阈值范围在 13% 到 25% 之间。据我们所知，这是首次对没有显式加法结构的量子码进行的数值阈值估算。
引用
@article{arxiv.1311.0019,
title = {Thermalization, Error-Correction, and Memory Lifetime for Ising Anyon Systems},
author = {Courtney G. Brell and Simon Burton and Guillaume Dauphinais and Steven T. Flammia and David Poulin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.0019},
year = {2015}
}
备注
34 pages, 9 figures; v2 matches the journal version and corrects a misstatement about the detailed balance condition of our Metropolis simulations. All conclusions from v1 are unaffected by this correction