热环境中拓扑量子存储器的寿命

在此，我们研究了晶格几何结构对二维拓扑量子存储器寿命的影响。最初，我们介绍了各种晶格图样，并展示了针对比特翻转和相位翻转的容错能力如何依赖于底层晶格的结构。随后，我们研究了当量子存储器处于有限温度下时，其寿命对底层晶格结构的依赖性。重要的是，我们提供了一个简单的有效公式，用晶格的平均度来表示存储器的寿命。最后，我们提出了用于拓扑量子存储器约瑟夫森结实现的最佳几何结构。