含 W 插入层的垂直 STT MRAM 单元中畴壁介导磁化反转的热稳定性
介观与纳米尺度物理
2021-02-03 v2 材料科学
摘要
我们提出一个解析模型，用于计算磁阻随机存取存储器（MRAM）单元在磁场驱动下畴壁介导的磁化反转的能垒，并将其应用于研究插入自由层（FL）中不同厚度 W 层时热稳定性因子 随单元尺寸和温度的变化。我们发现，随着 W 厚度增加，FL 薄膜的有效垂直磁各向异性（PMA）能量密度单调增大，但与此同时，单元的 主要呈下降趋势。我们的分析表明，除 FL 薄膜的饱和磁化强度 和交换刚度常数 外，量化单元 的参数是其矫顽场 ，而非构成单元的 FL 薄膜的净 PMA 场 。
引用
@article{arxiv.2008.00412,
title = {Thermal stability for domain wall mediated magnetization reversal in perpendicular STT MRAM cells with W insertion layers},
author = {G. Mihajlovic and N. Smith and T. Santos and J. Li and B. D. Terris and J. A. Katine},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.00412},
year = {2021}
}
备注
8 pages, supplementary material included