硅纳米薄膜中嵌入 60° 滑移位错阵列导致的热导率降低
介观与纳米尺度物理
2016-07-12 v1
摘要
基于 Debye-Callaway 和 Klemens 模型以及分子动力学，本文提出了通过在硅纳米薄膜中嵌入致密 60° 滑移位错阵列来降低热导率的机制。热导率降低至块体硅的 2%。发现这种降低主要归因于位错核处的纵向声子散射，此处的散射率强于 Klemens 给出的结果。在位错核周围约 9 nm 的有效直径范围内，位错局部散射声子，导致在位错密度大于 10^14 m^-2 时热导率出现显著的依赖于密度的降低。
引用
@article{arxiv.1607.02709,
title = {Thermal conductivity reduction by 60{\deg} shuffle-set dislocation arrays embedded in silicon nano-films},
author = {Zhimin Jiang and Haisheng Fang and Zhenya Lv and Xiangang Luo and Lili Zheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.02709},
year = {2016}
}