Bi 掺杂光纤中近红外活性中心的热行为
光学
2012-01-30 v1 材料科学
摘要
首次在可见光和近红外 (NIR) 光谱范围内测量了 Bi 掺杂石英光纤和 Bi 掺杂锗硅酸盐光纤的光损耗和发光光谱的温度依赖性。测量了锗硅酸盐光纤中与 Si 相关的活性铋中心的发光寿命的温度依赖性。研究发现，Bi3+ 离子在光纤预制棒中的分布与近红外活性铋中心的分布存在本质差异。所获数据表明，近红外活性中心与低氧化态的铋离子和/或玻璃结构的缺氧中心有关。
引用
@article{arxiv.1201.5704,
title = {Thermal behavior of NIR active centers in Bi-doped optical fibers},
author = {D. A. Dvoretsky and I. A. Bufetov and V. V. Vel'miskin and A. S. Zlenko and V. F. Khopin and S. L. Semenov and A. N. Guryanov and L. K. Denisov and E. M. Dianov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.5704},
year = {2012}
}
备注
22 pages, 8 figures