基于m-MTDATA:BPhen的TADF OLED中的热激活瓶颈
应用物理
2020-08-14 v1
摘要
基于热激活延迟荧光（TADF）的有机发光二极管（OLED）可通过反向系间窜越（RISC）将非辐射三重态转换为辐射单重态而实现高效率。然而，即便高效的TADF OLED也受限于较长的激发态寿命，这限制了电流密度并导致器件退化。当单重态-三重态能隙与热能相当（约数十毫电子伏）时，RISC很快，且仅受限于由自旋选择定则引起的瓶颈。我们利用脉冲电检测磁共振谱（pEDMR）在基于供体:受体组合m-MTDATA:BPhen（4,4',4''-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺 : 4,7-二苯基-1,10-菲啰啉）的OLED中，于器件工作条件下研究了该现象。这些实验显示了供体:受体界面处发射激基复合态的磁共振特征，但这些信号未揭示相干自旋传播效应。相反，这些信号的强度随所施加微波脉冲的能量剂量线性缩放。该观察排除了共振制备的相干自旋态的直接参与，并表明观察到的电流响应源于磁共振加热。这意味着所研究的TADF共混物不受自旋禁阻RISC限制，而是受限于热激活步骤。
引用
@article{arxiv.2008.05781,
title = {Thermal Activation Bottleneck in TADF OLEDs based on m-MTDATA:BPhen},
author = {Nikolai Bunzmann and Douglas L. Baird and Hans Malissa and Sebastian Weissenseel and Christoph Boehme and Vladimir Dyakonov and Andreas Sperlich},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.05781},
year = {2020}
}
备注
15 pages, 6 figures