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重入整数量子霍尔效应中拓扑激发与金属-绝缘体转变的理论

介观与纳米尺度物理 2017-05-16 v1

作者: G. E. Simion , T-G. Lin , J. D. Watson , M. J. Manfra , G. A. Csáthy , L. P. Rokhinson , Y. B. Lyanda-Geller

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摘要

重入整数量子霍尔效应(RIQHE)源于电子晶体的形成。我们通过解析与数值方法证明，这些晶体中电荷密度分布在带电缺陷附近的拓扑纹理显著降低了载流激发所需的能量。该理论定量解释了在RIQHE态中实验观察到的尖锐绝缘体-金属转变。RIQHE中的绝缘体到金属转变表现为拓扑带电缺陷的热力学解束缚转变。

关键词

重入整数量子霍尔效应电子晶体拓扑激发拓扑纹理金属-绝缘体转变带电缺陷热力学解束缚转变

引用

@article{arxiv.1705.05233,
  title  = {Theory of topological excitations and metal-insulator transition in reentrant integer quantum Hall effect},
  author = {G. E. Simion and T-G. Lin and J. D. Watson and M. J. Manfra and G. A. Csáthy and L. P. Rokhinson and Y. B. Lyanda-Geller},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1705.05233},
  year   = {2017}
}

备注

13 pages + Supplemental materials