纳米线中的自旋噪声理论
介观与纳米尺度物理
2013-05-29 v2
摘要
我们发展了半导体纳米线中的自旋噪声理论，这些纳米线被视为自旋电子学的前瞻性元件。在这些结构中，自旋轨道耦合可以实现为在约 10 nm 的空间尺度上关联的坐标随机函数。通过分析电子输运和自旋动力学的不同区域，我们证明自旋弛豫可以非常缓慢，并且由此产生的噪声功率谱在频率趋于零时呈代数增长。这一效应使得纳米线中的自旋效应最适合通过快速发展的自旋噪声谱学进行研究。
引用
@article{arxiv.1103.6040,
title = {Theory of spin noise in nanowires},
author = {M. M. Glazov and E. Ya. Sherman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.6040},
year = {2013}
}
备注
Considerably revised version, includes main text and supplementary material