扩散的自旋中心探测理论

表面电（电荷）噪声由于表面电荷密度的涨落以及晶体表面静电势的涨落而影响自旋缺陷。令人惊讶的是，带电粒子位置与表面静电势两者的两点关联函数强烈影响电噪声谱密度多项式衰减的幂次；该幂次并非仅由电荷涨落子的性质决定。在涨落子关联时间附近，自旋缺陷的弛豫与退相干出现随时间变化的跨接行为，这为表面带电粒子的扩散行为提供了定量指纹。