下一代偶分母态理论

偶分母量子霍尔态是实现非阿贝尔拓扑序的领先候选者,其中GaAs中的$\nu=\frac{5}{2}$平台是首个也是被研究最多的例子。近期在GaAs和双层石墨烯(BLG)中的实验在填充因子如$\nu=\frac{3}{4}$、$\frac{3}{8}$和$\frac{3}{10}$处观测到了许多“下一代”偶分母态。我们发展了这些态的理论,包括对其体准粒子的分析、在边缘输运测量中区分配对通道的方法,以及其尝试波函数。作为本研究的一部分,我们推导了通量附着如何影响态的许多普遍性质的一般关系。特别地,我们证明了界面模式的拓扑稳定性在通量附着下是不变的。我们将下一代配对态与相同填充因子下的Bonderson-Slingerland态进行了比较,并证明了它们的准粒子携带相同的电荷并遵循相同的交换统计。下一代态和Bonderson-Slingerland态仍描述不同的相,我们发现前者在最低朗道能级中能量上是有利的,而后者在第一激发能级中是有利的。