层状钴酸盐中载流子浓度依赖电子行为的理论
强关联电子
2015-05-20 v2
摘要
在具有有限在位和显著最近邻空穴-空穴库仑排斥的关联电子哈密顿量框架内，层状钴酸盐中依赖于载流子浓度的电子行为得到了自然解释。最近邻排斥作用在空穴密度低于1/3时降低空穴双占据，但在更高空穴密度时增加双占据。我们的结论对单带和三带扩展哈伯德哈密顿量均成立，并揭示了后者中依赖于浓度的 空穴占据情况。
引用
@article{arxiv.1012.3118,
title = {Theory of carrier concentration-dependent electronic behavior in layered cobaltates},
author = {H. Li and R. T. Clay and S. Mazumdar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.3118},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures