基于辐射-光学效应的X射线半导体超快响应材料噪声等效功率的理论与实验研究
仪器与探测器
2022-06-23 v1 核实验
摘要
基于辐射-光学效应的半导体材料可实现X射线的超快探测，并在聚变诊断中发挥重要作用。获取半导体超快响应材料的准确噪声等效功率（NEP）是探测X射线的关键。本文分析了半导体在X射线辐照下的折射率变化机制，并通过LT-AlGaAs衍射成像实验建立了衍射效率与X射线光子能量之间的定量关系。计算了LT-AlGaAs在1 KeV-10 KeV X射线辐射下的脉冲响应，揭示了NEP密度随辐射光子能量的变化。在轰击Al靶产生1.5 KeV X射线的情况下，进行了LT-AlGaAs的成像实验。LT-AlGaAs的衍射图像与辐射强度呈线性关系，其NEP密度达到4.80*10^5 W/cm^2。该研究对基于辐射-光学效应的超快X射线成像系统的发展具有参考意义。
引用
@article{arxiv.2206.10890,
title = {Theoretical and experimental study on Noise Equivalent Power of X-ray semiconductor ultra-fast response material based on the rad-optic effect},
author = {Xin Yan and Tao Wang and Gang Wang and Dong Yao and Yiheng Liu and Guilong Gao and Liwei Xin and Fei Yin and Jinshou Tian and Xinlong Chang and Kai He},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.10890},
year = {2022}
}
备注
19 pages,7 figures