顺磁缺陷处自旋拉比振荡的超灵敏电学探测
量子物理
2009-11-11 v1
摘要
简要回顾了脉冲电探测磁共振（pEDMR）实验。pEDMR 通过瞬态电流测量，可高灵敏度观测半导体中载流子和缺陷的相干电子自旋运动。讨论了其理论基础、实验实现、灵敏度以及其在半导体电子跃迁研究方面的潜力。以晶体硅（111）到二氧化硅界面的 P_b 中心为例，实验展示了如何探测自旋拉比振荡、其退相位、相干衰减和自旋耦合效应。
引用
@article{arxiv.quant-ph/0509120,
title = {The ultra-sensitive electrical detection of spin Rabi oscillation at paramagnetic defects},
author = {Christoph Boehme and Klaus Lips},
journal= {arXiv preprint arXiv:quant-ph/0509120},
year = {2009}
}
备注
The manuscript has been submitted for journal publication