氢化硅纳米簇的结构与斯托克斯位移
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们使用密度泛函和量子蒙太子(QMC)方法评估了多个候选1 nm硅纳米晶结构的光学带隙和斯托克斯位移。我们发现，吸收带隙计算与斯托克斯位移计算的组合可用于确定结构。我们发现，尽管在球形、完全氢化的硅纳米晶中，B3LYP和QMC方法计算得到的吸收带隙一致，但在具有不同表面键合网络的纳米簇中二者不一致。通过比较可能的松弛机制，考察了超亮发光的斯托克斯位移本质。我们发现，能够再现实验斯托克斯位移值的杂性激子最可能是由整个纳米簇上分布的集体结构松弛形成的状态。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0403226,
title = {The Structure and Stokes Shift of Hydrogenated Silicon Nanoclusters},
author = {Lucas Wagner and Aaron Puzder and Andrew Williamson and Zachary Helms and Jeffrey C. Grossman and Lubos Mitas and Giulia Galli and Munir Nayfeh},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0403226},
year = {2007}
}