Si 晶体中沟道正电子的单光子湮灭
量子物理
2022-01-13 v1
摘要
计算了沟道正电子与晶体某一原子的 K 壳层电子发生单光子湮灭的微分截面，并研究了发射光子的角分布。结果表明，截面随正电子相对于晶面的入射角呈复杂依赖关系。证明了这种取向依赖关系对于不同的正电子横向能级是不同的。研究了微分截面对电子纵向能量的依赖关系。
引用
@article{arxiv.2201.04325,
title = {The Single-Photon Annihilation of Channeled Positron in Si Crystal},
author = {K. B. Korotchenko and Y. P. Kunashenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.04325},
year = {2022}
}
备注
15 pages, 8 figures, Submission to SciPost