形变晶体中相干对产生中正电子的角分布

我们研究了高能光子在具有复杂基的周期性形变单晶中相干产生电子-正电子对过程中正电子的角分布。推导了任意形变场下相应的微分截面公式。详细考虑了光子相对于晶轴以小角度进入晶体的情形。给出了在S型声波产生的形变场情况下，针对 ${\mathrm{SiO}}_{2}$ 和金刚石单晶以及屏蔽原子势的Moliere参数化的数值计算结果。