在 GeV 能区利用取向晶体研究 LPM 效应的机遇
高能物理 - 唯象学
2008-11-26 v1
摘要
利用一种允许对两个相关过程的相干和非相干机制进行不可分离考虑的方法，计算了光子产生的电子 - 正电子对的能谱分布以及高能电子在取向单晶中辐射光子的能谱分布。该方法包含了轴（或平面）场的作用以及辐射电子或产生对的粒子的多重散射（Landau-Pomeranchuk-Migdal (LPM) 效应）。分析了散射对相干机制的影响以及场对非相干机制的影响。在钨中，对于温度 T= 100 K 下的对产生过程，在光子能量为 5 GeV 时， 轴方向的 LPM 效应达到 8%；对于温度 T= 293 K 下的辐射过程，在电子能量为 10 GeV 时，LPM 效应达到 6%。
引用
@article{arxiv.0711.3670,
title = {Opportunity to study the LPM effect in oriented crystal at GeV energy},
author = {V. N. Baier and V. M. Katkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0711.3670},
year = {2008}
}
备注
16 pages, 3 figures