基于二氧化钒提升射频开关速度的方法
材料科学
2024-11-07 v1 光学
摘要
本文提出了一种提升基于热致相变材料的射频开关速度的方法。基于加热过程中加热元件提供的热量增加起主要作用，而冷却过程中底部散热层的散热效应起主要作用的原理，通过将相变射频开关中的散热层材料替换为高导热材料，相变开关的温度上升速率略有降低，而温度下降速率显著提高。最终，本文中的开关实例速度提升了近 28.4%。该方法的提出为未来优化基于热致相变材料的射频开关速度提供了新思路。
引用
@article{arxiv.2411.03694,
title = {The method to improve the speed of RF switches based on vanadium dioxide},
author = {Tiantian Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.03694},
year = {2024}
}