强磁场中的哈伯德模型：强电子关联导致的低频量子振荡

利用强耦合图技术计算了垂直于二维费米子哈伯德模型的均匀磁场中的态密度。费米能级处的态密度作为逆磁感应强度的函数发生振荡，且这些振荡的频率随着偏离半填充的程度由小到中等值的变化而增加约一个数量级。此种频率变化是由对态密度有贡献的朗道子带的变化引起的——前者中它们位于朗道谱的边缘，而后者中主导贡献来自靠近谱中心的能带。随着磁感应强度改变，这两组能带表现不同。对于小偏离半填充的情况，计算出的振荡频率与钇铜氧化物量子振荡实验中所观测到的频率相当。