量子相变附近无序超导体中的希格斯模式
超导电性
2015-05-04 v1
摘要
通过希格斯机制产生质量的概念，深受早期关于超导体中迈斯纳-奥克森菲尔德效应的研究启发。在量子场论中，希格斯场纵向分量的激发表现为有质量的希格斯玻色子。超导体中类似的希格斯模式由于会迅速衰变为粒子-空穴对，迄今尚未被观测到。然而，根据近期理论，在接近超导体-绝缘体转变 (SIT) 的二维系统中，希格斯模式应降至配对能隙 以下并变得可见。为进行实验验证，我们测量了多种接近临界点的超导 NbN 和 InO 薄膜的复太赫兹透射谱和隧穿态密度 (DOS)。对比这两种技术揭示，有限的 与电磁吸收的阈值能量之间存在日益增大的差异，该阈值能量在趋向 SIT 时临界地消失。我们将 以下的过量吸收认定为二维量子临界超导体中存在希格斯模式的有力证据。
引用
@article{arxiv.1412.0068,
title = {The Higgs Mode in Disordered Superconductors Close to a Quantum Phase Transition},
author = {Daniel Sherman and Uwe S. Pracht and Boris Gorshunov and Shachaf Poran and John Jesudasan and Madhavi Chand and Pratap Raychaudhuri and Mason Swanson and Nandini Trivedi and Assa Auerbach and Marc Scheffler and Aviad Frydman and Martin Dressel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.0068},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 3 figures