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Ginzburg区间及其对拓扑缺陷形成的影响

高能物理 - 唯象学 2009-10-31 v1 凝聚态物理

摘要

Ginzburg温度历来被提出作为二级对称性破缺相变时拓扑缺陷形成的能量尺度。最近,从系统的临界动力学计算缺陷形成时间的替代方案,在理论和实验上都获得了越来越多的支持。我们使用一个弦形成的典型模型来研究这两种图像如何比较。特别地,我们表明,临界场构型长时间暴露于Ginzburg区间并不会导致最终形成的缺陷密度有实质性的抑制。这些结果驳斥了最近提出的Ginzburg区间在解释⁴He压力淬火实验中缺乏拓扑缺陷方面的作用。

关键词

引用

@article{arxiv.hep-ph/0001205,
  title  = {The Ginzburg regime and its effects on topological defect formation},
  author = {L. M. A. Bettencourt and Nuno D. Antunes and W. H. Zurek},
  journal= {arXiv preprint arXiv:hep-ph/0001205},
  year   = {2009}
}

备注

8 pages, 5 ps figures