非补偿界面中的交换偏置现象：理论与蒙特卡洛模拟
介观与纳米尺度物理
2011-09-29 v2 材料科学
摘要
我们在由两个薄膜（一个铁磁（FM）薄膜和一个反铁磁（AFM）薄膜）组成的双层系统中进行了蒙特卡洛模拟。考虑了两种薄膜晶格结构：简单立方（sc）和体心立方（bcc）。在两种晶格结构中，我们都施加了非补偿的界面自旋结构，特别是在（bcc）晶格情况下模拟了FeF2-FM系统。我们的分析聚焦于薄膜间界面相互作用强度J_eb的影响以及热涨落对偏置场H_EB的作用。我们首先在基于经典海森堡自旋变量的微观模型上进行了蒙特卡洛模拟。为了分析模拟结果，我们还引入了一个简化模型，该模型假设位于平行于界面的同一层上的自旋发生一致转动。我们发现，取决于AFM薄膜的各向异性与交换作用之比，偏置场要么由平行于界面的畴壁的内禀钉扎控制，要么由界面附近第一AFM层（准畴壁）的稳定性控制。
引用
@article{arxiv.1012.2895,
title = {The exchange bias phenomenon in uncompensated interfaces: Theory and Monte Carlo simulations},
author = {Orlando V. Billoni and Sergio A. Cannas and Francisco A. Tamarit},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.2895},
year = {2011}
}
备注
18 pages, 11 figures