无序诱导的正交换偏置场机制
介观与纳米尺度物理
2013-07-26 v2 材料科学
摘要
我们提出了一种机制来解释磁性双层系统中的正交换偏置现象。该机制基于在场冷却 (FC) 过程中无序界面处形成畴壁，从而诱导反铁磁体的对称性破缺，且不依赖于任何关于铁磁 (FM) 层与反铁磁 (AFM) 层之间耦合的特设假设。畴壁是 FM 与 AFM 界面处无序的结果，这降低了该区域的有效各向异性。我们表明，所提出的机制在单一理论框架内解释了若干已知的实验事实。这一结果得到了微观 Heisenberg 模型的 Monte Carlo 模拟、零温下的微磁计算以及有效 Ising 类唯象模型的均值场分析的支持。
引用
@article{arxiv.1307.1328,
title = {Disorder-induced mechanism for positive exchange bias fields},
author = {Orlando V. Billoni and Francisco A. Tamarit and Sergio A. Cannas},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.1328},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 4 figures