自旋-3/2 Sigma超子到Lambda超子跃迁的电磁形状因子

研究了从3/2+ Sigma*超子到基态Lambda超子的跃迁的三个电磁形状因子。在低能区，跃迁形状因子的组合可以从Sigma*超子到Lambda加正负电子对的Dalitz衰变中推导出来。指出了如何借助Lambda的自分析弱衰变获得更多信息。特别地，表明了这些跃迁形状因子在该运动学区域已经是复数。此类测量在超子工厂，例如反质子与离子研究装置（FAIR），是可行的。在更高能量下，跃迁形状因子可以在正负电子对撞中测量。给出了跃迁形状因子与衰变分布和微分截面之间的相关关系。利用色散理论，将Sigma*到Lambda跃迁的低能电磁形状因子与π介子矢量形状因子联系起来。所需的额外输入，即双π介子-Sigma*-Lambda振幅，由包含八重态和十重态重子的相对论次领头阶（NLO）重子手征微扰理论确定。一个知之甚少的NLO参数由Sigma*到Lambda-γ衰变宽度的实验值固定。π介子再散射通过求解Muskhelishvili-Omnès方程的色散理论加以考虑。讨论了减除和未减除的色散关系。然而，鉴于跃迁形状因子是复数，当前的数据状况不允许完全确定减除常数。为减少自由参数的数量，使用未减除的色散关系对低能类空和类时区域的跃迁形状因子做出预测。